Samsung приступает к выпуску 3,2-ТБ NVMe SSD на базе 3D V-NAND для серверов

Компания Samsung Electronics официально сообщила об очередном достижении на рынке твердотельных накопителей в виде начала массового производства NVMe PCIe SSD с емкостью 3,2 ТБ, в основе которых лежит новейшая флеш-память 3D V-NAND (Vertical NAND). Указанные решения рассчитаны на использование в высокопроизводительных серверных системах корпоративного класса, где должны найти применение такие их качества, как отличное быстродействие и надежность при обработке и хранении данных.

Новые NVMe PCIe SSD с индексом SM1715 используют проприетарную технологию 3D V-NAND от Samsung и выполнены в виде довольно компактной карты расширения форм-фактора HHHL, а их заявленная емкость 3,2 ТБ вдвое превышает показатели фирменных аналогов предыдущего поколения, способных предложить 1,6 ТБ дискового пространства.

Кроме того, сообщается, что накопитель SM1715 является усовершенствованной версией модели XS1715 в плане производительности и надежности, а ведь последняя удостоена премии 2014 Flash Memory Summit Best of Show Award как одна из самых инновационных разработок в сфере флеш-памяти. Скорость последовательного чтения и записи данных у новинки доходит до 3000/2200 МБ/с соответственно, производительность в произвольном чтении и записи достигает рубежей 750 000/130 000 операций ввода-вывода в секунду, а сами накопители SM1715 выходят не только в версии на 3,2 ТБ, но и в 1,6-ТБ варианте.

Источник новости: samsungtomorrow.com