AMD и IBM успешно разрабатывают 65-нм техпроцесс

Совместное сотрудничество компания AMD и IBM приносит свои плоды - в докладе, представленном на собрании International Electron Devices Meeting (IEDM), проходящем в Вашингтоне, США, представители AMD и IBM сообщили о разработке производственного процесса и материалов для создания чипов по 65-нм техпроцессу.

Чипмейкеры сообщили о достижении значительного - до 40% - увеличения производительности транзисторов путем применения новых технологий при изготовлении SOI-пластин (кремний-на-диэлектрике, Silicon-On-Insulator). Сюда вошли использование SiGe, Dual Stress Liner (DSL) и Stress Memorization Technology (SMT). Представленные технологии улучшают производительность транзисторов и микропроцессора в целом путем контроля потребления энергии и рассеяния тепла. Производственные разработки позволяют снижать задержки межкомпонентных соединений благодаря использованию диэлектрика с низкой диэлектрической постоянной. Разработки, как уже сообщалось, будут использоваться для изготовления чипов по 65-нм техпроцессу.

Компании проводили разработки на производственных мощностях в Дрездене, Германия, и исследовательском центре IBM в штате Нью-Йорк, США.

Источник новости: CDR Info