845 ГГц – новый рекорд для транзистора
Группа учёных из Иллинойского Университета изготовила транзистор, способный функционировать на частоте 845 ГГц. Таким образом, предыдущий рекорд превышен сразу на 300 ГГц. Не исключено, что следующее достижение учёных превысит отметку в 1 ТГц.
Структура транзистора
Транзистор произведён из двух полупроводников и при этом имеет уникальную структуру, благодаря которой устройство и смогло продемонстрировать столь впечатляющие скоростные характеристики. Помимо уникальной структуры, решение сотрудников Иллинойского Университета отличается и чрезвычайно тонкими компонентами. В частности, сообщается, что толщина базы транзистора составляет всего 12,5 нм. При этом учёные «вытянули» структуру в вертикальном направлении, тем самым уменьшив дистанцию, которую необходимо преодолеть носителям заряда.
Интересно, что при комнатной температуре (25 градусов по шкале Цельсия) транзистор работает на частоте 765 ГГц, а рекордных 845 ГГц удалось добиться только лишь при снижении рабочей температуры до минус 55 градусов.
Источник новости: University of Illinois