Hynix изготовила 60-нанометровую DRAM
Компания Hynix Semiconductor представляет новые модули оперативной памяти, оснащённые DRAM-чипами, произведёнными по 60-нм технологическому процессу. Ёмкость каждого чипа составляет 1 Гбит, что позволяет создавать на их основе планки памяти объёмом 1 Гбайт и 2 Гбайт.
DRAM-модули от Hynix
Устройства способны работать на частоте до 800 МГц, а использование новой технологии производства позволит снизить стоимость изготовления чипов оперативной памяти до 50%, по сравнению с современными 90-нм решениями. Новинками заинтересовалась компания Intel, которая уже провела процедуру валидации нового продукта.
Использоваться 60-нм чипы памяти будут не только в десктопах верхнего ценового диапазона, но также и в секторе серверных систем – на рынок поступят планки формата RDIMM и FBDIMM, объём которых достигнет отметки в 4 Гбайт.
Сообщается, что массовое производство 60-нм чипов оперативной памяти стартует в первой половине следующего года.
Источник новости: DigiTimes