Infineon и Nanya начали массовое производство 90-нм DDR2-памяти

Компании Infineon и Nanya начали массовый выпуск памяти DDR2 с использованием 90-нанометрового производственного процесса, тем самым желая догнать рыночного лидера в этой области, компанию Samsung, и идущую следом за ним компанию Elpida.

Infineon и Nanya переориентировали свое производство модулей динамической памяти со 100-нм на 90-нм технологию и при этом изменили размеры подложек с 200 мм на 300 мм. Новые устройства были разработаны под эгидой тайваньского совместного предприятия Inotera, руководимого Infineon и Nanya.

Новые модули памяти DDR2 объемом 512 Мбайт являются первыми продуктами на основе 90-нанометровой технологии. Устройства вместимостью 256 Мбайт и 1 Гбайт скорее всего появятся в этом году, но чуть позже. Представители Infineon отметили, что заявленные на 2006 год модули памяти DDR3 с частотой 800 МГц также будут созданы с использованием новой технологии.

Источник новости: Tom's Hardware