Intel сертифицировала память DDR3 производства Micron, Samsung Electronics и Elpida
Компания Micron Technology сообщила об успешном прохождении сертификационных тестов Intel на совместимость 1-гигабитного DDR3-решения от Micron с настольными платформами следующего поколения (семейство Bearlake) от Intel.
Micron DDR3-1066 UDIMM
В начале 2008 года Micron обещает запустить в производство модули памяти ёмкостью от 512 мегабайт до 4 гигабайт в виде UDIMM, SODIMM и RDIMM. Также на эти сроки запланирован и выход 2-гигабитного DDR3-чипа. Новинки будут по большей части удовлетворять требованиям новейших спецификаций JEDEC DDR3.
Samsung DDR3-1066 SODIMM
Одновременно с Micron об успешных сертификационных тестах сообщили такие производители памяти, как Samsung Electronics и Elpida. По числе одобренных компанией Intel DDR3-решений с большим отрывом лидирует южнокорейская Samsung Electronics. Из протестированной продукции было отобрано аж 21 решение: 13 модулей и 8 чипов. В Samsung утверждают, что плотная работа в сотрудничестве с Intel позволила спроектировать оптимальные DDR3-продукты для работы с новым поколением чипсетов Intel. На проходящей сейчас конференции WinHEC 2007, Samsung обещалась представить высокопроизводительный настольный ПК с установленными в нём 8 гигабайтами памяти, которые состоят из четырёх 2-гигабайтных DDR3 модулей, работающих на частоте 1333 МГц. Подобная конфигурация на сегодняшний день считается самой быстрой и технологически своевременной для использования в игровых компьютерах.
ELPIDA МDDR3-1066 UDIMM
Добро на производство своих DDR3-чипов получила и компания Elpida, которая закончила свои проектные работы по DDR3 SDRAM ещё в августе 2005 года. В процессе работы с Intel компания Elpida отправила на прохождение тестов сертификации десятки тысяч пробных образцов DIMM-памяти. По мнению представителей компании на начальном этапе DDR3-память будет использоваться только в high-end игровых компьютерах, но постепенно вытеснит DDR2 из ноутбуков и серверных станций также.
Сегодня Elpida разрабатывает и готовит к выпуску DDR3-решения, работающие на частотах 1066 МГц и 1333 МГц. Гигабитные DDR3-модули, выполненные по 70-нм техпроцессу, также скоро станут доступными и откроют дорогу продуктам типа DDR3-1600.
Напомним, что современные DDR3-решения обладают пропускной способностью в 800 и 1067 МГц, что в два раза больше частот, на которых работает DDR2-память. Также инженеры сумели снизить параметры рабочего напряжения чипов памяти с 1,8 Вольт до 1,5 Вольт, что в свою очередь уменьшает энергопотребление чипа на 30%.
Источник новости: DigiTimes