512 Мбайт GDDR 3 от Samsung

Компания Samsung разработала первые образцы 512 Мбайт GDDR 3 памяти. Чипы имеют рекордную плотность записи для данного типа памяти. В своем пресс-релизе компания сообщает, что новая память имеет пропускную способность до 1,6 Гбит/сек, и массовое производство намечено на начало следующего года.

Начав поставки 256 Мбайт памяти GDDR 3 около года назад, Samsung удерживает лидерство по производству и продажам данной памяти, которая находит широкое применение в видеокартах уровня Hi-End и высокопроизводительных игровых консолях.

Компания ожидает увеличение спроса на чипы памяти для графических устройств на 30% в следующем году, и дальнейшее развитие рынка будет проходить в том же темпе.

Источник новости: The Inquirer