Найдена замена флэш-памяти
Флэш-память сегодня пользуется всё большим спросом: повышаются объёмы встроенных накопителей портативных электронных устройств, ряд производителей жёстких дисков анонсирует скорое появление гибридных винчестеров. А исследователи, тем временем, ищут замену флэш-памяти. В частности, не так давно о своей разработке, призванной составить флэш-памяти конкуренцию, отрапортовала компания Samsung, теперь же отличились IBM, Macronix и Qimonda.
IBM PRAM
Сотрудники этих корпораций работают над созданием памяти типа PRAM (Phase-change Random Access Memory, или память с произвольным доступом на основе фазовых превращений), которая, если верить заявлениям компании, имеет большие шансы вытеснить флэш-память.
В отличие от решения Samsung, разработка инженеров IBM, Macronix и Qimonda отличается заметно более высокой производительностью: скорость оперирования данными превышает соответствующий параметр для чипов флэш-памяти почти на три порядка. При этом устройства потребляют столько же энергии, сколько и современные флэш-накопители.
К сожалению, информация о том, каким именно образом инженеры решили задачу повышения производительности PRAM-памяти, недоступна. Известно лишь о том, что в новой технологии применяется не столь часто используемый сегодня материал – антимонид германия, легированный не называемыми пока примесями. При этом сообщается, что чипы PRAM-памяти можно будет производить по значительно более тонкому техпроцессу: речь идёт даже о пока что недоступных 22 нанометрах. Отмечается, что ячейки памяти смогут выдерживать до 100 тысяч циклов перезаписи.
Впрочем, инженеры с осторожностью относятся к прогнозам. По их мнению, подобные устройства хранения информации появятся на рынке не ранее 2015 года: конкурирующие технологии пока находятся лишь на стадии разработки, и об их коммерческом использовании речи пока не идёт. Так что производители чипов флэш-памяти могут чувствовать себя вполне уверенно ещё по меньшей мере лет десять.
Официальная презентация технологии состоится 13 декабря в Сан-Франциско на конференции, проводимой организацией IEEE.
Источник новости: PhysOrg