NEC и Toshiba улучшают характеристики памяти типов FeRAM и MRAM
О новом достижении исследователей сообщили японские компании NEC и Toshiba. Увенчалась успехом совместная разработка высокопроизводительной магниторезистивной оперативной памяти MRAM (схема на изображении ниже). К тому же, инженерам Toshiba удалось создать высокоскоростные чипы ферроэлектрической FeRAM памяти. И если чипы MRAM обладают емкостью 16 Мбит, то для FeRAM-устройств аналогичный показатель значительно выше – 64 Мбит. Скорость чтения/записи при этом в обоих случаях достигает значений до 200 Мбайт/сек.
MRAM
Ферроэлектрическая память производится уже продолжительное время и используется в таких устройствах как чипы радиочастотной идентификации (RFID-чипы), различных смарт-картах и прочих устройствах. Кроме того, она применяется в медицинской сфере и даже в космонавтике.
Память типа FRAM сочетает в себе высокую скорость передачи данных и энергонезависимость при хранении записанной информации. Запись и считывание данных основано на регистрации и изменении положения электрических диполей ферроэелектрика – в результате процесса чтения информации в ячейке памяти необходимо единожды произвести процесс обновления, так как структура при считывании нарушается. Однако в отличие от DRAM чипов отсутствует необходимость в периодическом обновлении массивов данных – записанная информация сохраняется вплоть до последующего процесса чтения и записи новых данных. Это означает, что записанная информация может храниться на таких микросхемах сколь угодно долго.
FRAM-чип производства Toshiba производится по 130 нм технологическому CMOS-процессу, и основан на архитектуре chainFeRAM, позволяющей значительно сократить размеры ячейки памяти. Реализована поддержка кода корректировки ошибок (ECC). Основным достижением инженеров компании является реализация рекордной скорости процессов чтения/записи – до 200 Мбайт в секунду. При этом Toshiba не планирует останавливаться на достигнутом и сообщает о планах дальнейшего ведения исследований и разработке более производительных чипов FRAM.
Другим вариантом энергонезависимой памяти является MRAM-память – магниторезистивное ОЗУ – разработка инженеров NEC и Toshiba. Обе компании сообщают об удачном производстве высокопроизводительных чипов, пропускная способность которых тоже составляет 200 Мбайт/сек, при этом их емкость равна 16 Мбит. Работают MRAM-чипы при напряжении 1,8 Вольт, что является идеальным вариантом для использования подобных устройств в мобильной электронике – сотовых телефонах, наладонниках и прочей портативной аппаратуре.
Подобного результата удалось добиться путем снижения эквивалентного сопротивления в проводниках, улучшенному дизайну чипов, позволяющим разделить процессы чтения и записи, тем самым увеличив их скорость. Сообщается, что размер чипа составляет всего 78,7 кв. мм, что на 30% меньше, нежели у предшествующих вариантов MRAM памяти.
Источник новости: cdrinfo.com