Новый тип элементов памяти позволяют создать чипы 1Гбайт MRAM

Национальный институт Наук и Технологий в Индустрии (AIST) в Токио разработал новую структуру элементов памяти, которая в перспективе позволит значительно увеличить емкость элементов памяти MRAM (магнитно-резистивная память с произвольным доступом). MRAM - новый тип быстродействующей памяти, разрабатываемый для персональных компьютеров и других приложений. Биты данных хранятся как изменение направления магнитного поля электронов в элементе памяти.

Отмечается также, что новая структура элементов памяти AIST стабилизирует направление магнитного поля электронов и в результате MRAM чип, состоящий из таких элементов, может хранить до 1Гбайт данных, что в десять раз больше чем возможности современных аналогов. neasia.nikkeibp.com

Источник новости: 3DNews