PNY выпускает модули памяти объемом 4 ГБ с высокой плотность записи
Компания PNY объявила о выпуске модулей памяти DIMM DDR3 4ГБ 1333 МГц и SODIMM DDR3 4ГБ 1066 МГц с высокой плотностью записи. С помощью этих новинок можно легко увеличить мощность ноутбука или настольного ПК. Модули памяти IMM DDR3 4ГБ 1333 МГц и SODIMM DDR3 4ГБ 1066 МГц уже доступны в продаже по цене 2000 и 1500 рублей.
Память PNY
Технические характеристики:
DIMM DDR3 4ГБ 1333 МГц с высокой плотность записи:
- Тип: JEDEC-Standard 240-pin Dual Inline Memory Module (DIMM)
- Без буфера
- Латентность
- Напряжение питания: 1,5 В ± 0,2 В
SODIMM DDR3 4ГБ 1066 МГц с высокой плотность записи:
- Тип: JEDEC-Standard 204-pin Small Outline Dual Inline Memory Module (SODIMM)
- Без буфера
- Латентность
- Напряжение питания: 1,5 В ± 0,2 В
Источник новости: PNY Technologies