Samsung и Toshiba объединяют усилия для разработки более быстрой памяти типа NAND

Южнокорейский электронный гигант Samsung Electronics и японская корпорация Toshiba являются конкурентами по многим направлениям. Однако теперь эти два флагмана IT индустрии решили на время оставить в стороне разногласия и объединить усилия в разработке более быстрой памяти DDR NAND.

Данная память использует спецификации DDR 2.0 и обладает интерфейсом 400 Мбит/с, что дает возможность реализовать более высокие скорости передачи информации, чем это возможно на сегодняшний день. Заявлено, что переход с существующей памяти DDR1 NAND с интерфейсом 133 Мбит/с к новой и более быстрой DDR 2.0 принесет свои плоды в следующем поколении мобильных устройств, потребительской электроники и решений для хранения данных.

Поэтому Samsung и Toshiba намерены поддерживать новый промышленный стандарт памяти DDR NAND, чтобы сделать возможным ее широкое применение в индустрии. При этом обе компании уже начали прикладывать усилия по стандартизации технологии DDR2 NAND через организацию JEDEC Solid State Technology Association, занимающуюся подобными вопросами.

Источник новости: Toshiba