Samsung: малогабаритная память емкостью 1Гб

Компания Samsung Electronics объявила о новой технологии, примененной ее специалистами при производстве микросхем, которая позволила вдвое увеличить емкость готового продукта по отношению к существующим аналогам. Речь идет о первой в мире микросхеме DDR DRAM емкостью 1Гб, которая создана путем объединения в одном корпусе двух чипов DDR DRAM емкостью по 512 Мб каждый.

Как отмечают представители компании, кроме увеличения емкости памяти новая микросхема еще и экономит до 50% места на системной плате, что особенно важно, учитывая продолжающие тенденции миниатюризации современной цифровой техники. В настоящее инженеры Samsung собираются опробовать новый подход и на микросхемах памяти DDR2.

Что касается спроса на микросхемы памяти DRAM, то на сегодняшний день объем рынка оценивается в 15.5 млрд.долларов с последующей тенденцией роста до 24.7 млр.долларов в 2004 году и 38.7 млрд.долларов в 2005 году

Источник новости: 3DNews