Samsung приступила к массовому выпуску 32 ГБ RDIMM модулей на базе 30 нм DRAM

Компания Samsung Electronics официально объявила о том, что она первой в индустрии приступила к массовому производству серверных модулей памяти DDR3 емкостью 32 ГБ, построенных на основе 4 Гбит чипов DRAM, которые созданы по нормам техпроцесса 30 нм класса. Отметим, что новая оперативная память от южнокорейского производителя представляет собой продукт типа RDIMM (registered dual inline memory module), предназначенный для использования в серверных системах.

Новые 32 ГБ модули RDIMM от Samsung способны работать на весьма высокой частоте 1866 МГц и требуют напряжения питания 1,35 вольта. В то же время их предшественники с аналогичной емкостью, построенные на DRAM, произведенной согласно технологии 40 нм класса, обладают рабочей частотой лишь 1333 МГц при напряжении питания 1,5 вольта.  Добавим, что в Samsung приступили к производству 4 Гбит чипов DDR3 DRAM по технологии 30 нм класса в минувшем феврале, а сейчас корейский электронный гигант планирует приступить к поставкам схожих решений на основе техпроцесса уже 20 нм класса, отгрузки которых должны начаться во второй половине текущего года.

Источник новости: Korea Newswire