Samsung разрабатывает 512 Гб SSD на базе NAND с асинхронным интерфейсом DDR
Компания Samsung Electronics объявила о предстоящем выпуске своего первого SSD накопителя, построенного на базе NAND памяти с асинхронным интерфейсом DDR (так называемая технология Toggle-mode DDR NAND). Данная методика, позволяющая заметно повысить скорость чтения и записи данных, начала применяться южнокорейским IT гигантом еще в конце прошлого года, однако до сих пор подобная NAND память поставлялась лишь сторонним производителям.
SSD Samsung
Сферой применения нового твердотельного диска Samsung, емкость которого достигает 512 Гб, называются высококлассные ноутбуки и настольные компьютеры, что позволит значительно увеличить их производительность. Что касается самого SSD накопителя, он оборудован интерфейсом подключения SATA 3.0 Gbps, а в качестве основы для данного продукта выступают чипы NAND памяти 30 нм класса с плотностью 32 Гбит.
Функциональность SSD накопителя Samsung также включает опцию 256-битного AES шифрования и поддержку команд TRIM в Windows 7, что позволяет увеличить рабочий ресурс твердотельного диска. При этом, максимальная последовательная скорость чтения и записи информации у него составляет 250 и 220 Мб/с соответственно. Добавим, что массовое производство этого интересного решения должно начаться в следующем месяце.
Источник новости: Engadget