Samsung создает чип OneNAND с плотностью 8 Гбит для смартфонов
Один из ведущих производителей продуктов на основе флеш-памяти корпорация Samsung Electronics объявила о разработке чипа OneNAND с плотностью 8 Гбит, предназначенного для использования в решениях для высококлассных смартфонов. Причем, при создании данного чипа применяются нормы 30 нм технологического процесса.
Samsung OneNAND
Новый чип OneNAND с плотностью 8 Гбит от Samsung базируется на памяти NAND Flash с одноуровневыми ячейками (SLC), что обеспечивает ему скорость чтения данных до 70 Мб/с. Кроме того, новая разработка южнокорейского производителя отличается низким энергопотреблением, что критически важно для мобильных устройств.
По словам руководителей Samsung Electronics, появление в ассортименте компании чипа OneNAND, относящегося к решениям 30 нм класса и обладающего плотностью в 8 Гбит, станет значительным дополнением в линейке фирменных продуктов на основе памяти, предназначенных для применения в мобильной сфере. В настоящее время Samsung выпускает опытные образцы своего чипа OneNAND с плотностью 8 Гбит, а его массовое производство планируется начать к концу текущего месяца.
Источник новости: TCMagazine