Созданы 10-нанометровые полупроводники

Корейские исследователи сообщили о завершении работ по созданию 10-нанометровой технологии. В основу разработанных полупроводников положены углеродные нанотрубки (carbon nanotube, CNT). О значительном прогрессе в этом направлении, кстати, практически одновременно с корейцами сообщила и компания Fujitsu. Очевидно, ведущие исследовательские центры вплотную подошли к этапу массового внедрения наночипов.

Новые полупроводники составляют по размерам всего 1/6 часть от современных аналогов, изготовленных по 65-нм технологии. Флэш-память, например, изготовленная по этой технологии, сможет достичь объёма 100 Гбайт.

Руководителями проекта являются профессор Чой Хи-Чеул (Choi Hee Cheul) Университета науки и технологий в Поханго (Pohang University of Science and Technology), а также профессор Ким Хьюн-Так (Kim Hyun Tak) из Исследовательского института электроники и телекоммуникаций (Electronics and Telecommunications Research Institute, ETRI).   

Чой работает в области использования нанотрубок для создания на кремниевой подложке 10-нм электронных схем. «Насколько я знаю, мы преодолели 10-нм барьер впервые в истории», – заявил профессор Чой. Также он сообщил о начале совместной работы по внедрению разработанной технологии для производства чипов памяти с рядом американских компаний.

Углеродные нанотрубки представляют собой цилиндрическую структуру, состоящую только из атомов углерода. CNT иногда называют «магическим» материалом за счёт совершенно уникальных свойств, прежде всего токопроводящей способности и прочности.

Под руководством Ким Хьюн-Така в течение нескольких лет проводились работы по созданию диэлектрических материалов нового поколения. В результате был создан новый тип так называемых диэлектриков Мота. «20-й век был эрой полупроводников, а нынешнее столетие станет эпохой диэлектриков Мотта. Эти материалы откроют совершенно новый гигантский рынок», – заявил он. Время покажет, насколько правомочны такие заявления.

Источник новости: CDRInfo