Сурьма и индий - новое слово в производстве процессоров

Уменьшение энергопотребления чипов - наиболее актуальная задача, поставленная в настоящее время перед исследователями в полупроводниковой индустрии. Проведение экспериментов с новыми материалами, которые смогут заменить или дополнить сегодняшнюю кремниевую подложку, считаются решающим шагом.

Компания Intel уже продолжительное время занимается данным вопросом и, надо признать, добилась заметных успехов. Производитель заявляет, что он нашел новый материал, позволяющий чипам не нагреваться и потреблять меньше энергии. Совместно с исследователями из британской QinetiQ специалисты Intel продемонстрировали прототип экономичного транзистора, в создании которого используется химическое соединение сурьмы и индия (InSb). Фирмы убеждены, что однажды новый материал сможет заменить кремний точно так же, как когда-то удалось ускорить транзисторы на 50%, уменьшив потребление энергии в 10 раз.

IsNb принадлежит тому классу материалов, которые сегодня используются для разнообразных устройствах, таких как усилители высокой частоты и даже квантовые усилители. Анонсированный прототип обладает длиной затвора 85 нм, что несколько хуже аналогичного показателя нынешних транзисторов (50 нм). Более того, поколение чипов, созданных с применением  65-нм техпроцесса, которые выйдут в ближайшие месяцы, будет обладать 35-нанометровыми затворами.

Что же до энергопотребления, то IsNb-транзисторы работают с напряжением от 0,5 В, что в два раза меньше аналогичного показателя самых неприхотливых современных чипов. По словам представителей Intel, новая технология "сможет продлить жизнь аккумуляторов мобильных устройств, а также создать все условия для создания маленьких и более мощных продуктов". Впрочем, ни Intel, ни QinetiQ не смогли точно сказать, когда начнется массовое производство IsNb-чипов.

Источник новости: MobileMag