Toshiba разрабатывает NAND память DDR Toggle Mode и обещает более скоростные SSD

Японская корпорация Toshiba (точнее, ее подразделение Toshiba America Electronic Components, TAEC) представила свое первые чипы NAND памяти типа DDR Toggle Mode, изготовленные по нормам 32 нм техпроцесса. При этом отмечается, что данные чипы используют новый интерфейс, что позволяет снизить энергопотребление и в 3,3 раза повысить скорость передачи информации.

Новая NAND память DDR Toggle Mode 1.0 будет доступна в версиях с одноуровневыми (SLC) и многоуровневыми (MLC) ячейками и способна достичь производительности в 133 MT/с (миллионов передач в секунду), тогда как у стандартной SLC NAND памяти аналогичный показатель ограничен “всего” 40 MT/с.

Таким образом, NAND память DDR Toggle Mode 1.0 вполне подходит для использования в высокопроизводительных твердотельных накопителях, особенно в системах корпоративного класса. Однако решения подобного рода, несомненно, могут найти место и в домашних пользовательских компьютерах.

Toshiba собирается начать поставки NAND памяти DDR Toggle Mode 1.0 в SLC варианте с плотностью 32, 64 и 128 Гбит, а в MLC модификации – с плотностью 64, 128 и 256 Гбит. Отметим также, что японский производитель уже работает над NAND памятью DDR Toggle Mode версии 2.0, с помощью которой планируется добиться трехкратного роста в скорости интерфейса по сравнению с первым поколением.

Источник новости: TechConnect Magazine