ASML, Canon и Nikon: будущее за EUV-литографией!
Проходившая в г. Сан-Хосе на этой неделя конференция, SPIE Advanced Lithography, подразумевала широкий круг обсуждаемых тем только на бумаге. На самом деле, отражая возросший за последний год градус нервозности, основные вопросы участников сводились к следующим трем: успеют ли производители литографического оборудования разработать EUV-сканеры для выпуска микросхем по 22-нм проектным нормам в срок? Что ожидает промышленность, если не успеют? Есть ли альтернатива EUV-литографии для техпроцесса с размером элементов 22-нм и менее?
Согласно общему мнению участников конференции, реальных альтернатив EUV-литографии в производстве микросхем по 22-нм проектным нормам и менее не существует. Ни одна из других обсуждаемых методик (нано-импринт литография и различные схемы двойного экспонирования для оптической литографии) не может считаться реальным претендентом на звание "основного способа производства" микросхем за пределами 32-нм техпроцесса. Сразу три компании ASML, Canon и Nikon предъявили участникам собственные перспективные разработки, возложив на себя неофициальную корону лидера "литографической гонки". С их среднесрочными планами мы вас и познакомим.
Исполнительный вице-президент голландской компания ASML Мартин ван ден Бринк (Martin van den Brink) заявил о пяти заказах на тестовые литографические установки с использованием жесткого ультрафиолета. Компания отказывается назвать заказчиков и стоимость заказов, однако, по мнению экспертов, каждый EUV-сканер обойдется клиентам в 50 – 70 миллионов долларов США. Следующим шагом компании станет выпуск сканеров с числовой апертурой проекционной линзы равной 0,32 и производительностью до 100 подложек в час в 2011 году.
От голландского коллеги не отстает японская Nikon. Несмотря на некоторые досадные задержки, компания в целом, достаточно успешно продвигается по пути освоения новой технологии. Nikon разработала и смонтировала два тестовых EUV-сканера (alpha tools) для компаний Selete и Intel. В прошлом году Nikon поделилась сведениями о готовящихся к выходу сканерах EUV1 и EUV2, предназначенных по большей части для исследовательской работы. Сканер, пригодный для массовой обработки подложек (EUV3) с числовой апертурой менее 0,3, размером операционного поля 26 x 33 мм и мощностью 100 подложек в час намечен к выпуску в 2012 году.
Еще один японский производитель оборудования для литографии – компания Canon Inc., уже отличилась в рамках упомянутой конференции новой моделью EUV-сканера, однако последняя, обладая малым операционным полем (0,2 х 0,6 мм), относится к категории научно-исследовательского оборудования и непригодна для коммерческого использования. Сканер способен наносить на подложку изолированные 24-нм элементы. Первый опытный образец промышленного EUV-сканера от Canon, по мнению аналитиков, увидит свет не ранее 2009 года, поскольку компания на данный момент слишком сильно занята доводкой 193-нм иммерсионных литографических установок, запланированных к отгрузке производителям микросхем до конца 2008 года.
Источник новости: 3dnews.ru