Infineon и Micron объединяют усилия для разработки динамической памяти с малым временем задержки (RLDRAM)

30 мая компании Infineon Technologies и Micron Technology объявили о заключении соглашения о совместных разработках по созданию динамической оперативной памяти с малым временем задержки — Reduced Latency DRAM или RLDRAM, предназначенной для высокопроизводительных систем, таких как маршрутизаторы, коммутаторы и других устройств с широкой полосой пропускания.

При разработке RLDRAM планируется активно использовать наработки производителей сетевого оборудования, а пропускная способность новых чипов составит, ориентировочно, 600 Мбит/с на один контакт. А уникальная внутренняя архитектура позволяет достичь рекордно высоких скоростей случайного доступа, что будет способствовать уменьшению разрыва в скорости работы между динамической и статической памятью. При этом Infineon и Micron видят RLDRAM в качестве общего стандарта высокопроизводительной динамической памяти и планируют принять все усилия для обеспечения полной совместимости своих будущих продуктов.

Источник новости: Infineon