MetaSDRAM: виртуальное увеличение емкости DRAM-чипов
Обычно для производства модулей памяти емкостью 8 Гб используют чипы плотностью 2 Гбит, но инженерам компании MetaRAM удалось разработать интересную технологию, позволяющую набрать 8 Гб с помощью более дешевых гигабитных микросхем.
Новая технология, получившая название MetaSDRAM, предусматривает использование специального чипсета, состоящего из контроллеров потоков данных и микросхемы управления доступом. Этот набор микросхем является связующим звеном между контроллером памяти и чипами DRAM.
Если верить разработчикам, новая технология позволяет в четыре раза увеличить объем памяти DRAM в модулях DIMM без необходимости внесения в систему аппаратных или программных изменений. Для обхода ограничений контроллера памяти «чипсет-посредник» объединяет несколько чипов DRAM в единую виртуальную монолитную микросхему большой емкости.
В настоящее время двухгигабитные модули стоят существенно дороже гигабитных микросхем, поэтому MetaSDRAM позволяет снизить цену 8-Гб модулей. Кроме того, сообщается о снижении потребляемой мощности планок памяти на 30% по сравнению с традиционными 8-Гб модулями.
Чипсет MetaSDRAM MR08G2, предназначенный для построения 8-Гб DIMM-модулей уже выпускается серийно и доступен на рынке по оптовой цене $200. Также к массовому выпуску готов набор микросхем MetaSDRAM MR16G2, который будет применяться в 16-Гб модулях. Его цена составит $450 в партиях от 1000 шт.
Об использовании технологии MetaSDRAM в своих продуктах уже заявила компания Hynix Semiconductors. Так, стартовал серийный выпуск 8-Гб RDIMM планок DDR2-памяти HYMP31GP72CUP4-C6 (рейтинг PC2-4200). Во второй половине 2008 года на рынок выйдут 8-Гб модули памяти типа DDR3, также использующие новую технологию. 8-Гб модули регистровой памяти PC2-4200 с использованием MetaSDRAM представила и компания SMART Modular Technologies.
память Hynix
Источник новости: 3dnews.ru