Началась разработка нового типа памяти — MRAM

Компании IBM и Infineon Technologies AG анонсировали планы по созданию совместного предприятия, которое будет заниматься разработкой памяти, способной значительно увеличить срок жизни батарей портативных устройств и занять лидирующие позиции на рынке. Компании подписали соглашение о совместной разработке Magnetic Random Access Memory (MRAM), которая использует магнитный, а не электрический, как в обычных микросхемах памяти, заряд. В настоящее время над проектом трудятся около 80 инженеров и ученых IBM и Infineon.

MRAM может существенно улучшить современные устройства — от компьютеров до мобильных телефонов и игровых приставок, за счет большей емкости, меньшего времени доступа и меньшего энергопотребления. Кроме того, MRAM способна хранить информацию даже в отключенном состоянии, что может свести время загрузки компьютеров в недалеком будущем до нуля. Новая технология сочетает в себе лучшие черты современных микросхем памяти — высокую скорость Static RAM (SRAM), большую емкость и низкую цену DRAM, способность постоянного хранения информации Flash-памяти.