Новые транзисторы управляют отдельными электронами
Японские ученые сообщили об очередном успехе в области электроники – исследователям из компании NTT Corp. и орагнизации NIST удалось создать полевой транзистор (MOSFET), управляющий движением отдельных электронов. Подобное устройство, получившее обозначение SET-транзистор (single-electron tunneling – одноэлектронный туннельный транзистор), планируется использовать в маломощных наноустройствах, в частности, интегральных схемах нового поколения, предназначенных для выполнения логических операций.
SET
В основе работы подобных транзисторов лежит тот факт, что при уменьшении размеров устройств до наномасштабов значительно увеличивается количество энергии, необходимое для движения отдельных электронов. Это делает возможным управление электронами посредством изменения приложенного к затворам напряжения – при отрицательном напряжении транзистор оказывается «закрытым», при более высоком – транзистор «открывается» и начинается движение отдельных носителей заряда через канал.
SET-транзисторы являются одной из наиболее перспективных областей развития современной науки – в обозримом будущем они позволят производить эффективные и маломощные наноэлектронные устройства, которые будут значительно превосходить сегодняшние аналоги по всем параметрам. Транзисторы, подобные представленным, будут являться также и важной частью будущих квантовых компьютеров – на их основе можно будет создавать считывающие электрометры, регистрирующие отдельные заряженные частицы. И хотя до реального воплощения потенциальных возможностей еще далеко, ученые делают первые успешные шаги на пути создания более миниатюрных и функциональных устройств.
Источник новости: physorg.com