Samsung начинает массовое производство 256Mb Rambus DRAM третьего поколения

Samsung Electronics, один из крупнейших в мире производителей памяти, заявила об освобождении ниши 128Мб чипов. 0,15 микронная технология позволила компании начать переход к выпуску 256Mb Rambus DRAM с рабочей частотой 1ГГц. Производительность новой памяти на 30% выше по сравнению с памятью, разработанной по 0,17 микронной технологии.

Компания также отмечает, что размеры новых микросхем будут несколько меньше, что позволяет обеспечить конкурентность SDRAM в ценовом плане.

В настоящее время Rambus DRAM используется в высокопроизводительных компьютерах, рабочих станциях и игровых приставках. В планах Samsung расширить сферу применения DRAM за счет использования ее, в частности, в цифровых телевизорах, мобильных устройствах, средствах интерактивной связи и др.

К концу этого года компания планирует выпустить Rambus DRAM, выполненный по 0,13 микронной технологии, а в первой половине следующего года представить 4Bank Rambus DRAМ, размеры которой на 3% чипов SDRAM и на 10% дешевле.

Источник новости: Samsung Electronics