Samsung разработала высокоскоростной модуль DDR-памяти

Компания Samsung Electronics объявила о создании модуля синхронной оперативной памяти с удвоенной пропускной способностью (DDR SDRAM), работающего на частоте 300 Мгц. Устройство ориентировано в первую очередь на использование в графических системах высокого разрешения, а также для высокоскоростных видео-приложений.
Samsung полагает, что спрос на этот продукт возникнет также на рынке ноутбуков, локальных и глобальных сетей, Интернет-маршрутизаторов и коммутаторов, а также в качестве кэш-памяти третьего уровня для высокопроизводительных серверов.

Конфигурация продукта: емкость 128 Мбайт при количестве микросхем - 32, рабочая частота – 300 Мгц, что означает пропускную способность в 600 Мбит/с. Модуль является расширением предыдущего продукта такого класса от Samsung объемом 64 Мбайт.

Ожидается рост спроса на высокоскоростную память из-за необходимости соответствовать современным центральным процессорам, чьи частоты скоро достигнут 2 Ггерц. В первом квартале этого года Samsung имела долю на рынке DDR в 50%, а DDR-память, в свою очередь, является крупнейшим сегментом рынка полупроводников. Также компания поставляет 65% от мирового количества памяти Rambus.

Образцы модуля уже существуют, а массовое производство начнется в 3-м квартале 2001 года.

Источник новости: Samsung