Samsung заявляет о выпуске 512 Мбит флэшки, выполненной по 0,15 микронной технологии

Мы уже сообщали о том, что Samsung начинает массовое производство 256Mb Rambus DRAM третьего поколения. Сегодня Samsung Electronics заявила о своей готовности начать массовое производство 512 Мбит NAND флэш-памяти, выполненной по 0,15 микронной технологии и 1Гбит NAND флэш-памяти (2 спаренных 512 Мбит NAND флэшки).

В 2000 году, как оценивают специалисты, Samsung выпустила 38 млн. штук микросхем NAND - памяти; в планах на нынешний год фигурирует цифра 143 млн. штук (это 35% общего рынка).

Аналитики считают, что в этом году рынок флеш-памяти вырастет до 1,2 млрд. долларов, а при ежегодном росте в 73% к 2005 году достигнет 10,3 млрд.

Источник новости: Digitimes