Создана память для устройств, способная работать при 600 °C

Этот новый тип памяти работает не на основе традиционных кремниевых полупроводников, а использует анионы кислорода, которые движутся внутри устройства. При нагревании выше 150 °C обычные полупроводники начинают проводить ток на неконтролируемом уровне, что может привести к потере данных. Однако анионы кислорода в новой памяти не подвергаются таким воздействиям и остаются стабильными при высоких температурах.

Главной особенностью нового устройства является его способность хранить информацию в условиях экстремального тепла. В отличие от традиционных чипов, которые теряют свои данные при высоких температурах, это устройство сохраняет информацию при температурах выше 600 °C более 24 часов. В процессе работы устройства кислородные анионы перемещаются между двумя слоями — оксидом тантала и металлом танталом. Этот процесс напоминает работу аккумулятора, но вместо энергии в устройстве хранится информация.

При этом новая память может работать при более низких напряжениях по сравнению с аналогами, что делает её более энергоэффективной. Она также может предложить больше аналоговых состояний для вычислений непосредственно в памяти, что может снизить потребление энергии в устройствах, работающих в экстремальных условиях.

Существует одно ограничение — информация может быть записана на устройстве только при температуре выше 250 °C. Однако ученые предполагают, что это можно решить с помощью дополнительного обогрева для устройств, которые должны работать в широком температурном диапазоне.

По словам ученых, эта память открывает возможности для создания новых типов электронных устройств, которые могут работать в условиях высокой температуры, где ранее это было невозможно. Например, в таких областях, как мониторинг на термоядерных объектах или в космосе, где необходимо использование мощных процессоров с ограниченным потреблением энергии.