В России разработали наноисточник фотонов для электроники

Учёные Санкт-Петербургского академического университета имени Алферова, входящего в Центр компетенций НТИ «Фотоника», разработали передовой наноразмерный источник оптического излучения для оптоэлектронных чипов. Эта инновация, размещённая рядом с волноводом на чипе, обещает значительно ускорить передачу данных в современных устройствах.

Секрет в использовании туннельных контактов и массивов наноантенн, напечатанных на золотой плёнке с помощью фемтосекундных лазеров. Такие наноантенны увеличивают эффективность излучения более чем в 10 раз, что открывает новые перспективы для оптоэлектроники и квантовых технологий. Ранее подобные источники не могли найти массовое применение из-за низкой эффективности — из миллионов электронов генерировался лишь один фотон.

Этот новый метод позволяет изменять длину волны без необходимости в модуляторах, что упрощает интеграцию в существующие технологии. Использование наноантенн и ультратонких туннельных контактов делает фотонные интегральные схемы более производительными и компактными. Это может стать прорывом в развитии технологий фотоники и телекоммуникаций, открывая путь к новым возможностям и улучшению функциональности современных систем.