В России создадут магнитную плёнку для вечной флешки

Учёные из Дальневосточного федерального университета (ДВФУ), совместно с российскими и зарубежными коллегами создали особые многослойные плёнки из рутения, кобальта и вольфрама (Ru/Co/W/Ru) с толщиной слоя в один атом. Это открытие может привести к разработке быстрой и энергоэффективной магнитной памяти, работающей на спин-орбитронных эффектах. Такая память может найти применение во многих сферах, включая обработку данных, автономные автомобили, прогнозы погоды, искусственный интеллект и даже квантовый компьютер.

Спин-орбитроника является новой областью науки и техники, она занимается разработкой магнитных запоминающих устройств, которые обладают рядом преимуществ. Такие устройства могут быть энергонезависимыми и вмещать гораздо больше информации, чем обычные накопители. В основе спин-орбитронной памяти лежат скирмионы, которые представляют собой магнитные «пузырьки» и обладают устойчивостью и долговечностью. С помощью электрических и магнитных полей учёные могут управлять скирмионами, что позволяет быстро записывать и сохранять информацию на магнитном носителе.

Эта новая память может быть использована для создания беговой памяти, которая работает подобно записи и считыванию данных на магнитную ленту, но в тысячи раз меньше. Беговая память обладает высокой устойчивостью и надёжностью, так как не содержит движущихся частей. Кроме того, она способна хранить большое количество информации и обладает высокой скоростью считывания и записи.

Исследования проводила научная группа, в которую вошли специалисты из различных университетов и лабораторий по всему миру. Этот проект является частью реализации федерального проекта «Развитие человеческого капитала в интересах регионов, отраслей и сектора исследований и разработок» национального проекта «Наука и университеты». Он призван создать новое поколение умной электроники для эффективных вычислений и телекоммуникаций, и в этом процессе задействованы выдающиеся учёные со всего мира.