В России создали основу для флешек будущего

Учёные разработали методику измерения распределения электрического потенциала внутри сегнетоэлектрического конденсатора. Чтобы понять смысл работы, надо знать пару вещей. Наиболее подходящей основой для новых устройств памяти считается оксид гафния (HfO2). При определённых условиях этот аморфный диэлектрик способен образовывать стабильные кристаллы, которые «помнят» о приложенном электрическом поле.

По сути, ячейка памяти представляет собой тонкий слой оксида гафния с электродами с обеих сторон. Чтобы сегнетоэлектрический конденсатор работал, нужно добиться максимально возможной поляризации, и для этого изучить сопутствующие физические процессы.

В частности учёным важно знать, как распределяется электрический потенциал внутри слоя при подаче напряжения на электроды. Именно это и выяснили исследователи из МФТИ и других университетов.

Как говорят авторы работы, созданные ими сегнетоэлектрические конденсаторы в виде ячеек энергонезависимой памяти могут выдержать в сто тысяч раз больше циклов перезаписи, чем современные компьютерные флешки.

Кроме того, устройство памяти нового типа сможет работать даже в космосе, потому что ему не страшна радиация.