Российские ученые разработали метод для работы с алмазом в микроэлектронике

Использование кремния в микроэлектронике достигло предела своих возможностей, особенно в экстремальных условиях, таких как высокие температуры и воздействие радиации. В связи с этим ученые обратили внимание на алмазы как перспективный материал благодаря их прочности и устойчивости.

Добавление бора в кристаллическую структуру алмазов превращает их в полупроводники. Ученые разработали метод точного измерения концентрации бора в алмазах с помощью инфракрасной спектроскопии и математической модели. Это позволяет создавать полупроводниковые структуры с нужными характеристиками для микроэлектроники.

Проект осуществляется при поддержке Министерства образования и науки России и включает в себя сотрудничество между Санкт-Петербургским государственным электротехническим университетом «ЛЭТИ» и Санкт-Петербургским государственным университетом.