Компания Western Digital заявила, что работает над флэш-памятью 3D NAND X4, которая способна хранить в каждой ячейке по 4 бита. Для этого необходимо реализовать распознование 16 уровней заряда. 64-слойная память BiCS3 X4 позволит создавать микросхемы плотностью 768 Гбит, а это на 50% больше, чем у микросхем BiCS X3 с плотностью 512 Гбит.
Western Digital намеревается показать продукты на основе новой памяти уже в августе на мероприятии Flash Memory Summit.
В будущем технологию X4 будут использовать в следующем поколении флэш-памяти.
Источник новости: WDC
Автор:Сергей Калашников