Компания Samsung Electronics официально сообщила об очередном достижении в области микроэлектроники, а именно старте массового производства первой в отрасли мобильной памяти типа LPDDR3 емкостью 6 Гбит. Данная разработка выпускается по нормам 20-нм технологического процесса и отличается довольно высокой эффективностью, что должно обеспечить увеличение сроков автономной работы портативной электроники и ускорение запуска приложений, особенно на гаджетах с большими экранами высокого разрешения.Отметим, что новая память LPDDR3 емкостью 6 Гбит от Samsung обладает пропускной способностью в 2133 Мбит/с на контакт, благодаря чему она и отличается хорошим быстродействием. При этом можно легко создавать модули объемом 3 ГБ, в состав которых входят четыре таких чипа, для применения в целом ряде мобильных устройств, включая сверхпопулярные нынче смартфоны и планшетные компьютеры. Сами модули при этом минимум на 20 процентов компактнее и потребляют примерно на 10 процентов меньше энергии по сравнению с доступными сегодня на рынке 3-ГБ аналогами. Источник новости: Techpowerup