Samsung приступает к массовому производству 3-битной MLC NAND на 128 Гбит
О важном событии в своей истории развития официально объявила корпорация Samsung Electronics, которая приступила к массовому производству 3-битной MLC NAND-памяти с емкостью 128 Гбит, при создании которой используется продвинутая технология 10-нм класса. Данные компактные чипы, обеспечивающие больший объем NAND из расчета на ячейку, должны оказаться востребованными в системах памяти с высокой плотностью, к примеру, во встраиваемых решениях и разнообразных твердотельных накопителях.
MLC NAND на 128 Гбит
При этом пропускная способность новой NAND-памяти от Samsung равняется 400 Мбит/с, что весьма неплохо, а ее емкость, по заявлению производителя, является самой высокой в индустрии для продуктов такого рода. Что касается конкретных областей применения данной разработки корейского вендора, она будет использована для увеличения поставок фирменных карт памяти на 128 ГБ и тех же твердотельных накопителей большой емкости. Кроме того, MLC NAND на 128 Гбит поддерживает интерфейс Toggle DDR 2.0.
Источник новости: Engadget