Samsung хвастается своим первым тестовым чипом с 14-нм транзисторами FinFET
О важном достижении в области разработки новейшей полупроводниковой продукции сообщила компания Samsung Electronics. Официально объявлено о подготовке к выпуску первого тестового чипа Samsung на основе 14-нанометровых транзисторов FinFET. Эта разработка несколько напоминает транзисторы с трехмерной структурой затвора, уже знакомые нам по 22-нм процессорам Intel Ivy Bridge, и обещает значительное улучшение в плане производительности и энергоэффективности в сравнении с нынешними решениями.
Samsung FinFET
Помимо собственно Samsung, в разработке тестового чипа на основе 14-нм транзисторов FinFET так или иначе принимают участие ARM и Synopsys, а само это решение может послужить хорошей базой для создания фирменных однокристальных систем Exynos следующего поколения, которые вполне могут найти применение в будущих смартфонах и планшетах Samsung и других производителей. Напомним, что корпорация Intel, которая является одним из лидеров в деле “утоньшения” технологического процесса, обещает представить на рынке свои 14-нанометровые чипы в 2014 году.
Источник новости: Engadget