Компания Elpida Memory, являющаяся ведущим японским поставщиком памяти типа DRAM (Dynamic Random Access Memory) на мировой рынок, официально сообщила о том, что она первой в индустрии использует технологию HKMG (High-K Metal Gate) для разработки мобильной памяти DDR2 DRAM (LPDDR2) с емкостью 2 Гбит.Причем, для производства чипов данной памяти применяется техпроцесс 40 нм класса, а технология HKMG, предусматривающая использование в транзисторах материалов с высоким значением диэлектрической постоянной и металлических затворов, позволит Elpida выпускать более быструю память с улучшенной энергоэффективностью. Подобная память, очевидно, станет отличным выбором для мобильных устройств следующего поколения, требующих от всех своих компонентов сочетания высокого быстродействия с небольшим энергопотреблением. Добавим, что Elpida планирует начать поставки образцов 40 нм DDR2 DRAM с применением технологии HKMG до конца своего текущего финансового года, который завершится 31 марта 2012 года. Кроме того, в намерения японцев входит использование норм HKMG для 30 нм и 25 нм микросхем. Источник новости: Elpida