Компании Fujitsu и Seiko Epson заключили соглашение о совместной разработке ферроэлектрической оперативной памяти (FeRAM). Специалисты двух гигантов планируют закончить работы уже к лету следующего года, уменьшив ячейку памяти в шесть раз по сравнению с традиционными ферроэлектрическими ОЗУ. В рамках сотрудничества компания Seiko Epson предоставит Fujitsu технологию для создания новой FeRAM, в соответствии с которой Ti-часть (титановая) пьезоэлектрического измерительного преобразователя будет заменена на Nb (ниобий), что позволит улучшить гистерезисную характеристику, усовершенствовать процесс сохранения данных и усталостные свойства, а также повысить надежность FeRAM. Кроме этого, благодаря использованию архитектуры Crosspoint ячейки памяти могут размешаться вертикально, увеличивая объем записываемой информации при неизменной площади. Источник новости: Tech-On!