Готовы революционные транзисторы для процессоров будущего

Исследователи Intel объявили о создании транзисторов с рекордными параметрами производительности. Они созданы на основе нового диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и новых сплавов для производства затвора транзистора. Новые материалы позволяют радикально (более чем в 100 раз) снизить утечки тока, вызывающие сокращение времени автономной работы и порождающие нежелательное тепловыделение.

Толщину слоя диэлектрика затвора из диоксида кремния удалось довести до 1,2 нанометра (нм), то есть всего пяти атомных слоев. Интересно, что по мере уменьшения толщины слоя диоксида кремния возрастает ток утечки через диэлектрик затвора, что приводит к потерям тока и избыточному тепловыделению. Для решения этой важнейшей проблемы корпорация Intel планирует заменить используемый в настоящее время материал более толстым слоем диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью, что позволит существенно снизить токи утечки.

Корпорация Intel убеждена, что эти новые открытия можно будет интегрировать в экономичный, массовый производственный процесс, и сегодня переводит исследование, о котором идет речь, на стадию разработки. Транзисторы на основе новых материалов рассматриваются в качестве одного из вариантов для изготовления будущих процессоров Intel уже в 2007 году, в рамках производственного процесса Intel с проектной нормой 45 нанометров.

Источник новости: 3DNews