IBM, Infineon и Macronix объединяются для разработки PCM-памяти

Несмотря на оптимистичные прогнозы для рынка DRAM и флэш-памяти, инженеры многих ведущих компаний уже работают над созданием их "преемника", одним их которых, наряду с FeRAM, полимерной памятью (PFRAM), памятью с проводящим мостиком (CBRAM), органической RAM (ORAM) и памятью на основе нанотрубок (NRAM), является тип памяти Phase-Change Memory (PCM). Так, компании IBM, Infineon и Macronix сообщили о совместных исследованиях для развития именно PCM (PCRAM)-памяти.

В отличие от DRAM, новая память является энергонезависимой, что позволяет сохранять данные во время отключения питания, однако технология изменения фазы позволяет добиться значительно более высокой скорости обмена информацией, чем существующие экземпляры флэш-памяти - примерно в 100 - 200 раз быстрее.

PCM более перспективная технология, основанная на изменении состояния специального материала - от аморфной до кристаллической структуры, чем технология сохранения данных на основе "манипуляций" электрическим зарядом.

Идея создания подобного типа памяти не является чем-то необычным - компания Intel уже значительное время разрабатывает похожую технологию памяти на основе аморфных полупроводников, которая, как ожидается, может прийти на смену флэш-памяти в 2008 году.

Пока еще уровень развития представленных технологий не позволяет говорить о "победе" над флэш или динамической памятью, массовое производство новинок в ближайшем будущем не планируется, себестоимость продуктов пока не позволяет рассчитывать на маркетинговый успех в любом случае, поэтому ждем новых открытий и достижений исследователей.

Источник новости: Tom's Hardware