Не так давно мы сообщали о презентации рабочего образца процессора Intel Ivy Bridge, при изготовлении которого применялись 22 нм технологические нормы. Переход на новый техпроцесс намечен на конец текущего года и должен принести с собой повышение производительности и энергоэффективности CPU, а официальный дебют первых моделей в линейке Ivy Bridge ожидается в первой половине 2012 года.
Роадмап Intel
Впрочем, мировой чипмейкер вовсе не собирается почивать на лаврах, свидетельством чему служит информация от немецкого портала ComputerBase. Судя по приводимым сведениям, Intel планирует уже в 2013 году освоить 14 нм производственные нормы, а в 2015 году перейти на еще более “тонкий” 10 нм техпроцесс. Причем, все эти будущие чипы получат транзисторы с трехмерной структурой затвора, изготовленные по инновационной технологии 3-D Tri-Gate.
Отметим, что первыми обладателями этих 3D транзисторов станут как раз процессоры Ivy Bridge. Сообщается, что в рамках подготовки к переходу на 14 нм производственный процесс корпорация Intel собирается построить два новых производства в Хиллсборо, штат Орегон и Чэндлер, штат Аризона. Обе эти фабрики должны начать выпуск продукции с использованием 300 мм кремниевых пластин к концу 2013 года. Что касается 10 нм техпроцесса, информация о нем пока довольно скупа, однако на него вполне могут быть переведены вышеупомянутые производства в Орегоне и Аризоне.
Источник новости: ComputerBase