25 января 2006 года компания Intel объявила о выпуске первого работоспособного чипа статической памяти (SRAM, Static Random Access Memory), изготовленного по 45-нм производственной технологии. Новая микросхема содержит более миллиарда транзисторов. Этот результат подтверждает планы Intel начать производство микросхем по 45-нм производственной технологии с использованием 300-мм подложек в 2007 году. Новая производственная технология позволит выпускать микросхемы, ток утечки в которых снижен более чем в пять раз по сравнению с микросхемами, выпускающимися сейчас. Это позволит увеличить время автономной работы мобильных устройств, а также открыть новые возможности для создания компактных платформ с расширенной функциональностью. Источник новости: Intel