Компания Intel объявила о выпуске новых высокоскоростных чипов флэш-памяти. Устройства, полное название которых звучит как Intel StrataFlash Cellular Memory (M18), созданы на базе 90-нм технологии с применением многоуровневых NOR-ячеек. По словам создателей, это обеспечивает памяти не только повышенную плотность (так как в одной ячейке памяти может одновременно храниться два бита информации) и производительность работы, но и сниженный уровень энергопотребления (по сравнению с традиционными 130-нм чипами). Новинки предназначены для использования в высокотехнологичных мобильных телефонах и других портативных устройствах. На сегодняшний день компания предлагает две модификации Intel StrataFlash Cellular Memory (M18) - с объемом памяти 256 и 512 Мбайт. Скорость записи информации на чип достигает 0,5 Мбайт/с. Более подробно прочесть о характеристиках StrataFlash можно на сайте компании Intel. Источник новости: Intel