Требованиям высокой производительности и возможности работы на высоких частотах, предъявляемым к микросхемам кэш-памяти, соответствует статическая память SRAM. Однако такой вариант имеет свои очевидные недостатки - высокая стоимость и большие размеры ячейки памяти, что не позволяет широко использовать SRAM; также объем памяти ограничен высокой ценой конечных устройств.
В связи с этим компания AMD заинтересовалась решением Innovative Silicon - Z-RAM (Zero Capacitor DRAM), бесконденсаторной DRAM. В качестве конденсатора используется затвор полевого транзистора, отделенный от канала слоем диэлектрика. Основным преимуществом подобной памяти является высокая компактность ячейки памяти - ее размер меньше в пять раз по сравнению с SRAM и в два раза - со стандартной DRAM памятью. Еще одним плюсом Z-RAM является возможность использования существующего оборудования и материалов при производстве чипов - при изготовлении Z-RAM используется SOI техпроцесс (кремний-на-изоляторе), который и применяет AMD для производства своих чипов.
Structure
В планы AMD входит использование Z-RAM в качестве кэш-памяти в будущих моделях микропроцессоров, что позволит значительно увеличить объем "кэша", а вместе с ним и производительность чипов. На данный момент AMD изучает возможность использования новой памяти при производстве чипов по 90-нм и 65-нм техпроцессам. Точные сроки введения подобных изделий в массовое производство пока не установлены.
Источник новости: CDR Info