Компании Infineon Technologies North America, Genus Inc. и Albany Nano-Tech (ANT) заключили трехгодовое соглашение о реализации совместной программы объемом US$12 миллионов по разработке микросхем памяти следующего поколения.
Специалисты компаний будут заниматься разработкой и оптимизацией процессов осаждения атомарных слоев (atomic layer deposition - ALD) для металлических электродов и диэлектрических материалов для конденсаторов динамических ОЗУ (нанотехнология до 45нм) на подолжке Genus StrataGem-300 300мм. www.eetasia.com
Источник новости: 3DNews
Автор:Александр Cнегов