РОСНАНО и Crocus создают первое в мире производство MRAM по технологии 90 и 65 нм

Компания РОСНАНО и Crocus Technology, разработчик магниторезистивной памяти, объявили о заключении инвестиционного соглашения о создании в России производства памяти MRAM следующего поколения (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом). Общий объем сделки составляет $300 млн. В рамках соглашения РОСНАНО и Crocus создают компанию Crocus Nano Electronics (CNE), которая построит в России завод по производству памяти MRAM средней и высокой плотности с проектными нормами 90 и 65 нм с применением технологии термического переключения (Thermally Assisted Switching — TAS), разработанной Crocus.

РОСНАНО планирует инвестировать в проект до 3,8 млрд руб. (около $140 млн). На первом этапе РОСНАНО и соинвесторы — венчурные фонды CDC Innovation, Ventech, IDInvest Partners, NanoDimension, и Sofinnova Ventures — вложат $55 млн в уставный капитал Crocus. Еще около $125 млн участники проекта проинвестируют в строительство завода. На последующих этапах в проект планируется инвестировать еще $120 млн, которые пойдут на расширение производства и, в перспективе — совершенствование технологического процесса до норм 45 нм.

Как отмечают компании, предприятие CNE наладит первое в мире производство устройств MRAM с проектными нормами 90 и 65 нм по технологии Crocus. На стандартные 300-миллиметровые пластины, произведенные по технологии КМОП, на заводе будут наноситься дополнительные слои для создания устройств MRAM.

В ближайшие два года CNE планирует запустить завод, способный выпускать до 500 пластин в неделю. На второй фазе инвестиций его мощность будет увеличена до 1000 пластин в неделю. Кроме этого запланировано создание образовательного центра и центров разработки и подготовки к производству в России новой компьютерной памяти и, в дальнейшем, "систем-на-кристалле" (system-on-chip — SOC). На первом этапе Crocus инвестирует более $5 млн в российские исследовательские организации.

по словам РОСНАНО, производство магниторезистивной памяти по нормам 90 и 65 нм позволит создать устройства MRAM с самой высокой на сегодняшний день плотностью элементов. В России и странах СНГ маркетинг и продажу производимых устройств будет осуществлять CNE, в других странах — компания Crocus. Ключевыми рынками для производимой продукции станут системы хранения данных, мобильные и сетевые устройства, а также сервисы по развитию облачных вычислений. Кроме устройств общего назначения, память TAS MRAM может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия (near-field communications — NFC) и защищенной памяти. В приложениях будут востребованы такие преимущества памяти Crocus MRAM, как практически неограниченное число циклов перезаписи, энергонезависимость и высокая производительность как при чтении, так и при записи данных.

Напомним, микросхемы MRAM обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, т.е. возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания.

Источник новости: РОСНАНО