Компания Samsung Electronics разработала чипы графической памяти четвертого поколения GDDR4, которые показывают рекордную на сегодняшний день производительность. Пропускная способность новых чипов памяти от Samsung составляет 10 Гбайт/сек, что значительно превышает подобный показатель GDDR3-памяти, равный 6.4 Гбайт/сек.
Samsung Electronics использовала технологии DBI (Data Bus Inversion) и Multi-Preamble для увеличения производительности чипов GDDR4, которые благодаря подобным нововведениям имеют на 56% более высокую скорость передачи данных, по сравнению с графическими чипами памяти, представленными на текущий момент на рынке.
Компания сообщила о начале поставок первых образцов чипов заинтересованным клиентам для проведения тестирования; массовое производство GDDR4 памяти стартует во второй половине 2006 года. Не остается сомнений, что новые чипы будут пользоваться широким спросом в свете широкого распространения Hi-End видеокарт, для которых память GDDR4 и предназначена. Чипы будут также использоваться и в рабочих станциях, игровых консолях и так далее.
Источник новости: Tom's Hardware Guide