Технология производства флеш-памяти продолжает успешно покорять новые рубежи. На днях корейская корпорация Samsung заявила, что её специалисты разработали первый 30 нм чип памяти объёмом 64 Гбайт, то есть в 4 раза больше, чем самые ёмкие чипы, которые доступны сейчас на рынке.
30nm_flash_425_2
Новый вид памяти, разработанный Samsung, представляет собой многоуровневый (MLC – Multilevel chip) чип NAND, изготовленный по техпроцессу 30 нм. Каждый уровень имеет ёмкость 8 Гбайт. Таким образом , карты памяти как SD или CF-II с 16 уровнями могут обладать ёмкостью 128 Гбайт. 1,8-дюймовый твердотельный диск SSD с 64 уровнями может хранить в себе до 512 Гбайт данных.
Результаты действительно впечатляют. На карте памяти ёмкостью 128 Гбайт можно хранить примерно 32 тысячи песен или 80 фильмов в формате DVD. Большинство существующих твердотельных дисков SSD обладают объёмом не выше 80 Гбайт. Однако, по словам представителей Samsung, MLC-технология - реальность, а не научная фантастика. Компания планирует запустить серийное производство новых чипов памяти к 2009 году.
Источник новости: TG Daily