Samsung запускает в производство быструю DDR NAND память с высокой плотностью

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства двух вариантов NAND памяти 30 нм класса. Данная флеш-память имеет многоуровневую структуру ячеек (MLC) и относится к относительно новому типу DDR (double data rate). Это позволяет новой памяти Samsung пропускать вдвое больше данных в каждом рабочем цикле и намного увеличивает ее быстродействие по сравнению с традиционными решениями.

Южнокорейская компания уже заявила, что ее новая память DDR NAND позволяет достичь скорости пропускания данных, более чем втрое превышающей стандартные значения. Предполагается, что единичный MLC чип DDR NAND сможет достичь скорости чтения данных в 133 Мбит/с по сравнению с 40 Мбит/с у памяти предыдущего поколения. Даже при использовании в более сложных устройствах, таких, как карты памяти, новые 30 нм чипы DDR NAND могут считывать данные с постоянной скоростью в 60 Мбит/с, в то время как обычные показатели составляют лишь 17 Мбит/с.

Увеличение скорости происходит и при использовании SLC чипов с емкостью 32 Гбит (4 Гб), что позволяет использовать новую память Samsung в мобильных устройствах (медиаплееры, смартфоны), а также в SSD накопителях. Кроме того, новая память обладает повышенной плотностью – 3 бита на ячейку, что позволяет примерно на 50 процентов увеличить количество данных, записанных в том же физическом объеме.

3-битная DDR NAND память Samsung первоначально будет использоваться для карт microSDHC емкостью 8 Гб,  а затем сможет найти применение и в других картах памяти, а также в USB накопителях. Однако в каких именно устройствах она может оказаться, пока неизвестно.

Источник новости: Electronista