SK Hynix опередила Samsung на рынке NAND с 321-слойной флэш-памятью
Что она удешевитSK Hynix стала первым чипмейкером, серийно выпускающим флеш-память NAND с трехуровневыми ячейками (TLC), содержащую более 300 слоев, опередив таких конкурентов, как Samsung. 321-слойная 1-терабитная флэш-память TLC 4D NAND компании устанавливает новый стандарт в индустрии хранения данных, пишут СМИ.
© SK Hynix
Эта новинка обещает сделать более доступными SSD емкостью более 100 ТБ. По сравнению с 238-слойным предшественником чип на 12% увеличивает скорость передачи данных и на 13% - производительность чтения. Энергопотребление тоже снижено более чем на 10%.
SK Hynix приписывает это достижение своей технологии «Three Plugs», которая оптимизирует электрические соединения, скорость и эффективность. В чипе также используется материал с низким напряжением и «коррекция выравнивания» для улучшения производственных процессов.
Производство начнется в 2025 году и будет ориентировано на центры обработки данных с искусственным интеллектом.